5 nm最小線寬電子束曝光機 EBL
參數：
•束斑類型：高斯束斑
•加速電壓： 125，100，75，50，25 kV
•束斑電流：5 pA-1000 nA
•最小束斑尺寸：1.7 nm
•最小線寬：優于5 nm
•寫場尺寸：最大3000 μm
•曝光面積：小于8 inch.
•束斑類型：高斯束斑
•加速電壓： 125，100，75，50，25 kV
•束斑電流：5 pA-1000 nA
•最小束斑尺寸：1.7 nm
•最小線寬：優于5 nm
•寫場尺寸：最大3000 μm
•曝光面積：小于8 inch.
應用：
•微納結構光刻
•集成光學器件，如光柵、光子晶體等器件光刻
•NEMS結構、復雜精細結構光刻
•光刻掩模板、納米壓印模板制作
800 nm最小線寬紫外光刻機 Aligner
參數：
•襯底尺寸：2/4/6英寸
•掩膜版尺寸：3/5/7英寸
•對準精度：±0.5 μm
•分辨率：≤ 0.6 μm
波長：365 nm、436 nm
•襯底尺寸：2/4/6英寸
•掩膜版尺寸：3/5/7英寸
•對準精度：±0.5 μm
•分辨率：≤ 0.6 μm
波長：365 nm、436 nm
應用：
•標準光刻
•MEMS光刻
•壓印光刻
•鍵合對準
•背面對準
微流控光刻
電極光刻
600 nm最小線寬激光直寫光刻機
參數：
•最小地址網格：10 nm
•加工線性光柵時，圖形的最小分辨率：150 nm
•光刻最小結構尺寸：600 nm
•直寫速度：6-1000 mm²/min
•最小地址網格：10 nm
•加工線性光柵時，圖形的最小分辨率：150 nm
•光刻最小結構尺寸：600 nm
•直寫速度：6-1000 mm²/min
應用：
•掩膜版加工
•三維微結構加工
•MEMS生物芯片加工
•傳感器加工
•灰度曝光
250 nm~5 μm周期納米圖形陣列光刻機
參數：
•兼容4英寸及以下
•套刻對準精度1-2 μm
•周期分辨率：250 nm-5 μm
•線寬分辨率：100 nm
•占空比：30%-50%可調
•周期精度優于0.1 nm
•大面積均勻光場圖形均勻性優于10%
•兼容4英寸及以下
•套刻對準精度1-2 μm
•周期分辨率：250 nm-5 μm
•線寬分辨率：100 nm
•占空比：30%-50%可調
•周期精度優于0.1 nm
•大面積均勻光場圖形均勻性優于10%
應用：
•適合科研及小批量生產需求
•AR衍射光波導
•低成本、高效率制備大面積納米周期陣列結構
•納米孔陣列-生物介質孔
大面積光柵、流道曝光
感應耦合等離子體刻蝕機ICP-RIE
參數：
•動態溫控：-20 °C到300 °C；
•樣品尺寸：最大支持直徑200 mm晶圓；
•模式：帶預真空室
不均勻度 < 5% (6”)
壓力范圍 0.1 Pa … 20 Pa
功率范圍 100 … 1200 W
下電極溫度范圍：室溫~+250°C
•動態溫控：-20 °C到300 °C；
•樣品尺寸：最大支持直徑200 mm晶圓；
•模式：帶預真空室
不均勻度 < 5% (6”)
壓力范圍 0.1 Pa … 20 Pa
功率范圍 100 … 1200 W
下電極溫度范圍：室溫~+250°C
應用：
•刻蝕材料：介質，石英，玻璃，硅，氮化硅等介質膜層,金屬
•硅基光電子
DOE
壓印模板刻蝕
超表面陣列
等離激元
金屬光柵
電感耦合等離子體刻蝕機 ICP
參數：
•兼容50 mm至200 mm直徑的襯底，襯底厚度最大可達10 mm
•電極的溫度范圍：-150℃至+ 400℃
•可自動進行模式切換
+400℃
•兼容50 mm至200 mm直徑的襯底，襯底厚度最大可達10 mm
•電極的溫度范圍：-150℃至+ 400℃
•可自動進行模式切換
+400℃
應用：
•適用材料： Si
•適用工藝：Bosch（50：1等大深寬比硅刻蝕）/非Bosch（淺硅刻蝕）
•適用領域：微流控芯片/TSV/光電子/微納米光學
離子束刻蝕機 IBE
應用：
•刻蝕的側壁垂直度：≥ 85°
•刻蝕精度：≤ 10 nm
•終極拋光表面粗糙度Ra = 0.1 nm
•刻蝕的側壁垂直度：≥ 85°
•刻蝕精度：≤ 10 nm
•終極拋光表面粗糙度Ra = 0.1 nm
應用：
•三維結構刻蝕
•材料表面清洗
•材料表面終極拋光
金屬結構等物理刻蝕
鍵合機 Bond aligner
參數：
•最大粘合直徑：200毫米（8英寸）
•最大粘合直徑：200毫米（8英寸）
應用：
•MEMS晶圓鍵合
•LED晶圓鍵合
•先進封裝
•2.5和3維集成
